Установлено, что в образцах состава In0.95Ga0.05Sb〈Mn〉 и In0.05Ga0.95Sb〈Mn〉 образуется однородный твердый раствор замещения с внедренными марганецсодержащими кластерами, которые располагаются в основном на дефектах кристаллической решетки – на межзеренных границах и дислокациях. <...> Ферромагнитные свойства полученных образцов при комнатной температуре и выше обусловлены кластерами Mn1+xSb, эффективный размер которых составляет порядка 180–300 нм. <...> Ключевые слова: магнитные полупроводники, твердые растворы полупроводников, ферромагнетики, спинтроника DOI: 10.7868/S0044457X17010147 В последнее время значительное внимание исследователей направлено на поиск новых материалов для спинтроники. <...> Перспективными в этом отношении являются материалы, обладающие как полупроводниковыми, так и ферромагнитными свойствами, причем для реализации потенциала этих материалов они должны быть совместимы со стандартной полупроводниковой технологией. <...> Сэтой точки зрения, полупроводниковые соединения АIIIВV и их твердые растворы, легированные 3d-элементами группы железа, имеют преимущество. <...> Свойства бинарных соединений АIIIВV, в частности антимонидов In и Ga, легированных Mn, изучены довольно хорошо и представлены в ряде работ [1–10]. <...> Ферромагнетизм в этих соединениях с Тс выше комнатной обусловлен кластеризацией марганца в виде магнитных соединений Mn–Sb. <...> В работах [11, 12] установлено, что местами скопления марганца являются выходы дислокаций на поверхность образцов и что бульшая его часть расходуется на легирование дислокаций в структуре InSb. <...> При этом легированные дислокации в основном определяют магнитные и электрические свойства магнитного полупроводника при комнатной температуре и выше. <...> Известно, что InSb и GaSb образуют непрерывный ряд твердых растворов, которые могут существенно расширить по сравнению с полу7 97 проводниковыми соединениями набор электрофизических параметров, определяющих возможности применения материалов в конкретных <...>