Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 638383)
Контекстум
Электро-2024
Прикладная физика  / №1 2017

Влияние высокой температуры на свойства полупрозрачных слоев золота (100,00 руб.)

0   0
Первый авторРудневский
Страниц6
ID588932
АннотацияПредставлены результаты исследования воздействия высокой температуры на свойства полупрозрачных слоев золота, используемых при изготовлении фотодиодов Шоттки. Показано влияние высокой температуры на удельное сопротивление и оптическое пропускание Auпленок толщиной 8÷21 нм. Также показано изменение структуры Au-пленки толщиной 10 нм при воздействии высокой температуры. На основании представленных данных делается вывод, что температура 300С является предельной температурой для фотодиодов Шоттки с золотым барьерным контактом, при превышении которой резко возрастает необратимая деградация фотодиодов
УДК621.315.5
Рудневский, В.С. Влияние высокой температуры на свойства полупрозрачных слоев золота / В.С. Рудневский // Прикладная физика .— 2017 .— №1 .— С. 42-47 .— URL: https://rucont.ru/efd/588932 (дата обращения: 11.06.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Pw, 85.60.Gz Влияние высокой температуры на свойства полупрозрачных слоев золота В. С. Рудневский Представлены результаты исследования воздействия высокой температуры на свойства полупрозрачных слоев золота, используемых при изготовлении фотодиодов Шоттки. <...> Показано влияние высокой температуры на удельное сопротивление и оптическое пропускание Auпленок толщиной 8ч21 нм. <...> Также показано изменение структуры Au-пленки толщиной 10 нм при воздействии высокой температуры. <...> На основании представленных данных делается вывод, что температура 300 С является предельной температурой для фотодиодов Шоттки с золотым барьерным контактом, при превышении которой резко возрастает необратимая деградация фотодиодов. <...> Ключевые слова: фотодиод Шоттки, удельное сопротивление, оптическое пропускание, барьерный контакт, фосфид галлия, Au-пленка. <...> Введение При изготовлении ультрафиолетовых фотодиодов Шоттки (ФДШ), в частности, на основе фосфида галлия (GaP) [2–4, 6–8], на поверхность полупроводника в качестве барьерного контакта наносится тонкая пленка золота [1–8]. <...> Использование этого металла в качестве барьерного контакта является предпочтительным, поскольку золото образует высокий потенциальный барьер с полупроводником, оно химически устойчиво, на воздухе не окисляется, а процесс получения полупрозрачных Au-слоев путем термического испарения в вакууме удобен и технологичен. <...> Однако поведение такой пленки при воздействии высокой температуры окружающей среды существенно влияет на основные характеристики фотодиодов Шоттки и ограничивает возможности их применения. <...> С целью выяснения поведения тонких слоев золота, используемых в качестве барьерного контакта в ФДШ, и оптимизации их толщины, были проведены исследования воздействия высоких температур на удельное поверхностное сопротивление (т.н. сопротивление квадрата Рудневский Владимир Сергеевич, ведущий инженерэлектроник, к.ф.-м.н. <...> E-mail: rudnevskiy@mail.ru Статья поступила <...>