Проведено теоретическое исследование апияния электрического поля на процесс ID- и 20-тун-нелирования в квантовой молекуле, находящейся в диэлектрической матрице и матрице из метаматериала (с эффективно отрицательной диэлектрической проницаемостью) при конечной температуре в одноинстантонном приближении. <...> Показано, что устойчивый режим 20-бифуркаций в такой матрице может иметь место в существенно более узком диапазоне параметров по сравнению с обычными диэлектрическими матрицами. <...> Проведено качественное сравнение зависимости вероятности lD-диссипативного туннелирования от напряженности внешнего электрического поля с экспериментальной туннельной вольт-амперной характеристикой для полупроводниковых квантовых точек из InAS/GaAs! <...>