Физика ФИЗИКА УДК 538.9 П. Б. Болдыревский, А. Г. Коровин, С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров АНАЛИЗ НЕРАВНОМЕРНОСТИ ТОЛЩИНЫ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ КРЕМНИЯ ПРИ ОСАЖДЕНИИ ИЗ СУБЛИМАЦИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ В ВАКУУМЕ 1 Аннотация. <...> Выращиваемые методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слои Si однородны по толщине на небольшой площади (1–4 см2). <...> Поэтому для дальнейшего развития и промышленного использования данного метода необходима реализация эпитаксиального роста на подложках достаточно большой площади. <...> Целью данной работы являлось выявление условий осаждения слоев кремния с однородным распределением толщины по площади подложки диаметром 100–200 мм из сублимационных источников. <...> Для повышения степени однородности толщин эпитаксиальных слоев Si, осаждаемых в процессе сублимационной МЛЭ, рассматривается возможность применения нескольких идентичных источников Si. <...> Сублимационный источник Si представляет собой прямоугольный брусок сечением 4Ч4 мм и длиной 120 мм, нагреваемый до рабочей температуры. <...> Предложенная модель расчета распределения толщины эпитаксиального слоя Si основывается на том, что линейная плотность распределения частиц Si у поверхности подложки имеет вид, близкий к нормальному закону распределения. <...> Получены экспериментальные и расчетные профили распределения толщины эпитаксиальных слоев кремния вдоль диаметра подложки. <...> Для получения заданной степени однородности эпитаксиального слоя необходимо применение системы нескольких сублимационных источников. <...> В случае применения трех сублимационных источников определены геометрические и конструкционные параметры взаимного расположения подложки и сублимационных источников в вакуумной камере. <...> Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, сублимационный источник, однородность по толщине эпитаксиальных слоев кремния P. <...> Shengurov ANALYSIS OF THICKNESS UNEVENNESS OF THE EPITAXIAL SILICON LAYER DURING DEPOSITION FROM SUBLIMATION SOURCES IN A VACUUM 1 Работа выполнена в рамках <...>