ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2003, ¹ 2 УДК 621.382.23 : 538.935 ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ОТКРЫВАЮЩЕМСЯ ДИОДЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ © 2003 В. С. Питанов Воронежский государственный университет Рассмотрен эффект перераспределения внешнего напряжения между барьерным слоем нелинейного контакта металлполупроводник и базой реального диода с барьером Шоттки в широком интервале прямых смещений вплоть до полного открывания. <...> Приведена и обсуждаются прямая ветвь вольт-амперной характеристики диода на основе контакта Mo/nSi, определены его физические и модельные параметры. <...> Получены зависимости падений напряжения на контакте и базе диода от прямого смещения, позволившие проанализировать явление перераспределения в открывающемся диоде. <...> Установлено, что при увеличении прямого смещения напряжение на контакте стремится к напряжению плоских зон, тогда как напряжение на базе для открытого диода нарастает пропорционально смещению, чем объясняется линеаризация характеристики полностью открытого диода. <...> С использованием этих результатов получена и проанализирована прямая ветвь вольт-амперной характеристики собственно нелинейного контакта металлполупроводник прибора. <...> При расчете и моделировании радиоэлектронных устройств на основе диодов с барьером Шоттки вольт-амперная характеристика (ВАХ) прибора описывается выражением [1]: IU I U nV где ISA T exp[ (0)/V ]Sb T = ** 2 (2) так называемый модельный ток насыщения контакта металлполупроводник (КМП) диода, I(U) ток, протекающий через диод при приложении к нему внешнего напряжения U, S площадь контакта, n коэффициент идеальности ВАХ, A** модифицированная эффективная постоянная Ричардсона [2] для термоэмиссии электронов из зоны проводимости полупроводника в металл над потенциальным барьером (барьером Шоттки) в КМП равновесной высотой q электрона, VT b (0), q заряд =(kT)/q термический потенциал, k постоянная Больцмана, Т термодинамическая температура полупроводника <...>