ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2003, ¹ 2 УДК 621.3.032: 539.16.04 РАДИАЦИОННОЕ ТЕСТИРОВАНИЕ МДП-ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ © 2003 М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, В. Р. Гитлин Воронежский государственный университет Представлены результаты использования рентгеновского излучения и локального облучения электронным пучком в растровом электронном микроскопе для оценки радиационной стойкости и выявления радиационно-чувствительных участков МДП-элементов БИС. <...> ВВЕДЕНИЕ Ионизирующее излучение вызывает образование радиационно-индуцированного заряда в подзатворном диэлектрике МДПструктуры и поверхностных состояний (ПС) на границе раздела полупроводник-диэлектрик, что ведет к деградации МДП интегральных схем вследствие изменения таких параметров, как пороговое напряжение и крутизна транзисторов. <...> . Для изучения кинетики изменения зарядового состояния границы раздела в МДП транзисторе (МДПТ) разработаны методы подпороговых токов, применимые в том числе и для транзистора с коротким каналом [2, 3, 4]. <...> Однако, наблюдаемый эффект повышения радиационной чувствительности транзисторных МДП-структур в результате циклических радиационно-термических воздействий [5] свидетельствует о протекании необратимых процессов в объеме диэлектрической пленки, а метод подпороговых токов не позволяет проводить исследование этих процессов. <...> Другую проблему представляет деградация МДП-элементов интегральных схем в результате появления радиационно-индуцированных токов утечек и пробоя, что приводит к увеличению тока потребления схемой, нарушению теплового режима и т.д. <...> . Поскольку характер деградации МДП ИС определяется конструктивно-технологическими особенностями их изготовления, то возникает задача выявления участков ИС, наиболее чувствительных к воздействию радиации. <...> Использование для этих целей сфокусированного электронного пучка в растровом электронном мик46 роскопе (РЭМ) дает возможность воздействия на отдельные <...>