1 УДК 539.216.2: 538.951 РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И ПЛОТНОСТЕЙ СОСТОЯНИЯ ПЛЕНКИ ДИСИЛИЦИДА КОБАЛЬТА Н.С. <...> Переславцева, С.И. Курганский Воронежский государственный университет Пленочным методом линеаризованных присоединенных плоских волн рассчитаны полные и локальные парциальные плотности электронных состояний и фотоэлектронные спектры для различных энергий возбуждающих фотонов пленки дисилицида кобальта. <...> Структура фотоэлектронных спектров пленки при малых энергиях возбуждения (12 40 eV) обусловлена dсостояниями Со и s и p состояниями Si. <...> При более высоких энергиях падающего фотона форма спектров определяется практически только лишь dсостояниями Со. <...> ВВЕДЕНИЕ Силициды переходных металлов нашли широкое применение в изделиях микроэлектроники благодаря высокой проводимости этих материалов и стабильности их характеристик к нагреву. <...> Некоторые силициды могут исполнять роль омического контакта, в то время как другие выступают в качестве диффузионных барьеров. <...> Дисилицид кобальта привлекает особое внимание к своим структурным и электрофизическим свойствам вследствие возможности высококачественного эпитаксиального выращивания этого материала на кремниевой подложке. <...> Проведенный в данной работе теоретический расчет спектральных характеристик пленки CoSi2 и сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными [1 4] должны способствовать лучшему пониманию электронных свойств дисилицида кобальта. <...> Пленка (001) дисилицида кобальта, для которой мы провели расчет полных и локальных парциальных плотностей электронных состояний (ЛППЭС) и фотоэлектронных спектров, имеет кубическую структуру типа флюорита (CaF2) с постоянной решетки a0 = 5.362 Е [5]. <...> 1 элементарная ячейка рассчитанной пленки состоит из двух элементарных ячеек объемного кристалла плюс два дополнительных поверхностных слоя кремния. <...> Дальнейшие обозначения атомов пленок становятся ясными из подрисуночной подписи <...>