№ 4 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ УДК 621.315.548 ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ СИНТЕЗА И УСТОЙЧИВОСТЬ ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 2014 г. Д.Л. Алфимова, М.Л. Лунина, И.П. Папков, Б.М. Середин Алфимова Диана Леонидовна – канд. техн. наук, доцент, ст. науч. сотрудник, Южный научный центр Российской академии наук, г. Ростов-на-Дону. <...> E-mail: seredinboris@gmail.com Alfimova Diana Leonidovna – Candidate of Technical Sciences, assistant professor, Senior Researcher, Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don. <...> Проведен термодинамический анализ ограничения синтеза и устойчивости висмутсодержащих многокомпонентных твердых растворов соединений А3В5. <...> Осуществлен расчет бинодали и спинодали для твердых растворов InBiAsSb и CaInBiAsSb, экспериментально исследованы составы висмутсодержащих твердых растворов в метастабильной области ТР. <...> Введение Многокомпонентные твердые растворы (МТР) на основе соединений А3В5, содержащие висмут, представляют интерес в качестве материалов для фотоприемных излучательных устройств в видимом и ИКдиапазонах спектра [1]. <...> К таким материалам, в частности, относятся твердые растворы (ТР) GaInAsSbBi. <...> Однако получение этих твердых растворов сопряжено с рядом трудностей: наличие обширной области несмешиваемости, узкий коридор значений переохлаждения, необходимого для эпитаксиального роста из жидкой фазы, вероятность формирования нестехиометрических составов и т.д. <...> Такие требования наиболее существенны для материалов, используемых при создании лазеров и фотоприемников видимого и ИКдиапазонов, что выдвигает в число актуальных проблем разработку новых и совершенствования существующих методов получения эпитаксиальных структур 85 и приборов на их основе [5]. <...> Одним из наиболее разработанных методов получения полупроводниковых гетероструктур является жидкофазная эпитаксия [6, 7]. <...> Целью данной работы является анализ фазовых равновесий гетеросистем GaInSbAsBi-InSb и выращивание твердых растворов GaInSbAsBi на подложках InSb и исследование <...>