Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635165)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки  / №3 2011

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КРАТКОВРЕМЕННЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ (60,00 руб.)

0   0
Первый авторПанюшкин
Страниц3
ID517946
АннотацияПолучены математические модели для электрофизических параметров полупроводника, определяющих ионизационные токи р-n переходов. В моделях учтено влияние температуры, концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля. Проведенные расчеты показали, что наибольшее влияние температура и концентрация носителей заряда оказывают на время жизни и подвижность. Влияние электрического поля проявляется при напряженности, превышающей 102 – 103 В·см-1 Зависимость эффективности ионизации от температуры практически отсутствует.
УДК621.38
Панюшкин, Н.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КРАТКОВРЕМЕННЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ / Н.Н. Панюшкин // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2011 .— №3 .— С. 36-38 .— URL: https://rucont.ru/efd/517946 (дата обращения: 09.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 621.38 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КРАТКОВРЕМЕННЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ  2011 г. Н.Н. Панюшкин Воронежская государственная лесотехническая академия Voronezh State Academy of Forestry Engineering Получены математические модели для электрофизических параметров полупроводника, определяющих ионизационные токи р-n переходов. <...> В моделях учтено влияние температуры, концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля. <...> Проведенные расчеты показали, что наибольшее влияние температура и концентрация носителей заряда оказывают на время жизни и подвижность. <...> Зависимость эффективности ионизации от температуры практически отсутствует. <...> Ключевые слова: переходные ионизационные эффекты; p-n-переход; ионизационный ток; мощность дозы; длительность импульса эффективность ионизации; время жизни; подвижность; напряженность электрического поля. <...> Mathematical models are received for electro-physical semiconductor parameters, defining PN – junction photocurrent. <...> Keywords: permanent radiation effects; PN junction; photocurrent; doze rate; width pulse; efficiency of ionizing; carrier lifetime; mobility; tension of electric field. <...> Амплитуда и длительность ионизационного тока р-n перехода в значительной степени определяется временем жизни и коэффициентом диффузии неравновесных носителей заряда (ННЗ), а также эффективностью ионизации электронно-дырочных пар [1 – 3]. <...> Деградация этих параметров в условиях действия переходных ионизационных эффектов связана с увеличением концентрации ННЗ и действием электрического поля, возникающего в квазинейтральных областях р-n перехода при протекании ионизационных токов. <...> Напряженность электрического поля Е может достигать 105 В∙м–1при мощности дозы Р=31010 Рс–1 и увеличивается с ростом Р стремясь к насыщению [1]. <...> Увеличение Е приводит к снижению подвижности ННЗ и уменьшению ширины запрещенной зоны Eg (эффект Френкеля). <...> Зависимость эффективности ионизации происходит при напряженности свыше 106 В∙м–1. <...> Зависимостью g(T) можно пренебречь, величина g слабо возрастает с ростом <...>