3:621.382.032.27 МЕТОДИКА ОЦЕНКИ ВЫЖИВАЕМОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ ПРИ ТЕПЛОВОМ ВОЗДЕЙСТВИИ 1Новосибирский государственный технический университет 2Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН Л.А. <...> Моделирование результатов воздействия электромагнитного импульса на элементы микроэлектроники является актуальной задачей, поскольку позволяет разрабатывать радиоэлектронное оборудование с повышенной стойкостью к воздействию этого вида электромагнитного излучения. <...> Основной механизм повреждения полупроводниковых приборов связан с местным нагревом материалов. <...> С переходом элементной базы радиоэлектроники в нанодиапазон характерных размеров возрастает деструктивная роль диффузионных процессов, протекающих при сравнительно небольших температурах. <...> Методика основана на учете зависимости коэффициента диффузии от характерного размера элементов микроэлектроники. <...> Показано, что в нанодиапазоне характерных размеров значительно ускоряются диффузионные процессы. <...> Проверка адекватности модели проведена путем оценки стойкости к тепловому воздействию диффузионного барьера Ta–Cu и сопоставления полученных результатов с экспериментальными данными. <...> Проведена оценка стойкости к воздействию электромагнитного импульса элементов микроэлектроники, изготовленных из новых материалов. <...> Установлено, что перспективные материалы для изготовления элементов микроэлектроники военного назначения должны обладать сравнительно высокой температурой плавления, низкой диффузионной подвижностью и слабой зависимостью физических свойств от температуры. <...> Показано, что к перспективным материалам относятся графен и его производные. <...> Моделирование результатов воздействия этого вида оружия на элементы микроэлектроники является актуальной задачей, поскольку, с одной стороны, позволяет разрабатывать радиоэлектронное оборудование с повышенной стойкостью к воздействию электромагнитного <...>