технологии 129 Робб ШИМОН (Robb SHIMON) Матиас БОНС (Mathias BONSE) Марио РИГХИ (Mario RIGHI) Дон ДАВАНЦО (Don D’AVANZO) ИС на основе InP открывают путь к высокопроизводительным приборам с диапазоном более 100 ГГц Введение Высокоскоростные цифровые интерфейсы нового поколения в корне меняют требования, предъявляемые к контрольноизмерительным приборам (КИП) миллиметрового диапазона. <...> Примеры таких приложений включают разрабатываемый стандарт IEEE P802.3bs 400G, терабитную когерентную оптическую модуляцию и многие беспроводные технологии пятого поколения (5G). <...> Работающим в этих областях инженерам требуется контрольно-измерительное оборудование, поддерживающее частоты выше 60 ГГц, скорости передачи данных более 32 Гбод и возможность приема и передачи многоуровневых когерентных форматов модуляции в системах передачи сигналов с несколькими входами/выходами (MIMO). <...> Характеристики таких приборов определяются в первую очередь параметрами аналогового интерфейса, который содержит интегральные микросхемы (ИС), обрабатывающие аналоговые сигналы в тракте от входного ВЧ-разъема до понижающего преобразователя частоты. <...> Несколько лет назад компания Keysight Technologies применила новый подход к разработке входных интерфейсов с использованием полупроводниковых технологий на основе фосфида индия (InP) [1]. <...> ИС, изготовленные на основе InP по технологии первого поколения компании Keysight, сейчас применяются во многих измерительных приборах, включая некоторые осциллографы Keysight реального времени [2]. <...> Теперь, после выхода ИС на основе InP по технологии второго поколения и применения их в новейших стробоскопических осциллографах и осциллографах реального времени [3], открывается путь к созданию высокопроизводительных приборов с верхней границей диапазона частот более 100 ГГц. <...> Основы технологии InP Биполярные транзисторы с гетеропереходом (ГБТ, англ. <...> HBT — Heterojunction Bipolar Transistor) по своей природе обладают высокой удельной ВЧ-мощностью и усилеКОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ <...>