№ 1 УДК 538.975:539.215:539.219.1 К ВОПРОСУ ОЦЕНКИ ВКЛАДА ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ ПРИ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОМ ФЛУОРЕСЦЕНТНОМ АНАЛИЗЕ © 2014 г. Ш.И. Дуймакаев, М.А. Сорочинская Дуймакаев Шамиль Исхакович – кандидат физикоматематических наук, доцент, кафедра физики наносистем и спектроскопии, физический факультет, Южный федеральный университет, ул. <...> Сорочинская Марина Антоновна – старший преподаватель, кафедра общей физики, физический факультет, Южный федеральный университет, ул. <...> Duimakaev Shamil Iskhakovich – Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate Professor, Department of Physics of Nanosystems and Spectroscopy, Physics Faculty, Southern Federal University, Zorge St., 5, Rostov-on-Don, Russia, 344090, e-mail: DuimakaevSI@yandex.ru. <...> Sorochinskaya Marina Antonovna – Senior Lecturer, Department of General Physics, Physics Faculty, Southern Federal University, Zorge St., 5, Rostov-on-Don, Russia, 344090, e-mail: magi_06@mail.ru. <...> Выполнена оценка сверху зависимости относительного «чистого» вклада эффекта избирательного возбуждения от величины поверхностной плотности образца при рентгеноспектральном флуоресцентном анализе. <...> Для начальной области использованное в работе простое приближение отражает важную в физическом отношении тенденцию к «насыщению» вклада избирательного возбуждения с ростом поверхностной плотности образца. <...> Полученная формула перспективна для ее использования в случае рентгеноспектрального флуоресцентного анализа «ненасыщенных» гетерогенных сред. <...> Ключевые слова: интенсивность рентгеновской флуоресценции элемента, гомогенный и гетерогенный образец, массовый коэффициент ослабления, оценка вклада эффекта избирательного возбуждения. <...> Широкое использование в микроэлектронике, акустоэлектронике, интегральной оптике полупроводниковых, сегнетоэлектрических, магнитных пленок разнообразного состава ставит задачу всестороннего изучения твердотельных тонкопленочных объектов, физические свойства которых часто весьма сильно отличаются от свойств массивных тел. <...> Информацию об электронной энергетической структуре и элементном составе исследуемого объекта можно <...>