П.Н. Лебедева РАН, ****Институт физики металлов УрО РАН) e-mail: antares-610@yandex.ru, alex-khomich@mail.ru, roma@lebedev.ru, karkin@uraltc.ru В осажденных из газовой фазы алмазах исследовано влияние изохронного вакуумного отжига при температурах до 1680 °C на процессы трансформации дефектов после облучения образцов быстрыми нейтронами либо имплантации ионов изотопов водорода (энергия иона 350 кэВ, дозы (2–12)·1016 см 2). <...> Установлено, что границы зерен в поликристаллических алмазах существенно не влияют на процессы отжига радиационных дефектов и графитизации. <...> В спектрах фотолюминесценции обнаружены и исследованы ранее не наблюдавшиеся в оптических спектрах алмазов полосы с максимумами на 580 нм, 730 нм и ряд полос в диапазоне 760–795 нм. <...> Показано, что неоднородное распределение фотолюминесцирующих центров окраски вдоль поверхности имплантированного слоя обусловлено латеральной диффузией водорода (дейтерия) в области радиационного повреждения. <...> Ключевые слова: алмаз, фотолюминесценция, центры окраски, ионная имплантация, нейтронное облучение, отжиг ВВЕДЕНИЕ Алмаз занимает исключительное положение в современной цивилизации, являясь и драгоценным камнем, и сверхтвердым кристаллом, и эталонным полупроводником для электроники, прежде всего – высокотемпературной, мощной и радиационно-стойкой [1]. <...> В настоящее время стало возможным получение поликристаллического CVD (chemical vapor deposited) алмаза в виде пластин площадью десятки кв. см и толщиной от долей микрометра до нескольких миллиметров на кремниевых подложках и гомоэпитаксиальное получение крупных монокристаллических CVD алмазов [2], которые по примесному составу и структурному совершенству превосходят самые лучшие природные кристаллы. <...> Ряд центров окраски в алмазе обладает высокими яркостью, квантовой эффективностью и стабильностью при комнатной температуре, короткими излучательными временами жизни и узкими линиями, что открывает перспективы для создания алмазных однофотонных эмиттеров <...>