Прикладная физика, 2016, № 3 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.49:621.793.162 Время автономной работы фотоприемников диапазона спектра 3—5 мкм из InSb и гетероэпитаксиальных структур CdHgTe А. В. <...> Филатов, Е. В. Сусов, В. В. Карпов, В. А. Жилкин, С. П. Любченко, Н. С. Кузнецов, А. В. Марущенко Исследовано время автономной работы tав глубокоохлаждаемых дроссельной системой Джоуля–Томсона фоторезисторов и фотодиодов из антимонида индия и фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1-хTe (х ~ 0,3). <...> Показано, что время tав фоторезисторов и фотодиодов связано с температурой перехода полупроводниковых материалов из примесной области проводимости в собственную область. <...> Обсуждаются возможности повышения времени tав фотоприемников за счет оптимизации требований к характеристикам InSb и CdхHg1-хTe. <...> Dw Ключевые слова: фотоприемники, время автономной работы, антимонид индия, гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур. <...> Введение Фотоприемники (ФП) с небольшим количеством фоточувствительных площадок обычно используются в системах регистрации ИК-излучения с дроссельными системами охлаждения Джоуля– Томсона, когда необходимо быстро охладить ФП до рабочей температуры ~77 К и после завершения работы системы охлаждения продолжить работу в автономном режиме. <...> Фотоприемники из InSb и твердого раствора CdхHg1-хTe (х ~ 0,3) при температуре жидкого азота имеют высокую чувствительность в спектральном диапазоне 3—5 мкм. <...> При повышении температуры до определенного уровня эти материалы Филатов Александр Владимирович, ведущий инженер. <...> E-mail: co-ckb@mail.ru Статья поступила в редакцию 31 марта 2016 г. © Филатов А. В., Сусов Е. В., Карпов В. В., Жилкин В. А., Любченко С. П., Кузнецов Н. С., Марущенко А. В., 2016 переходят в область собственной проводимости (n-тип), что приводит к резкому падению чувствительности. <...> Представляет несомненный практический интерес вопрос о возможном интервале времени работы ФП в автономном режиме. <...> Целью данной работы было исследование времени <...>