ВОЗОБНОВЛЯЕМЫЕ ИСТОЧНИКИ ЭНЕРГИИ 33 В УДК 621.382.1 Темновая деградация солнечных элементов на основе пленок a-Si:H Э. Н. Воронков, Д. А. Зезин* Приведены результаты исследования деградации солнечных элементов на основе -Si:H при их хранении, объясняющейся генерацией метастабильных дефектов в слабо легированной области pin-структур. <...> Строительство наземных солнечных электростанций привело к развитию тонкопленочных солнечных элементов (СЭ) на основе аморфного кремния. <...> Создание этого материала позволило организовать непрерывный автоматизированный процесс массового производства панелей большой площади, что в перспективе должно позволить солнечной энергетике стать конкурентоспособным направлением возобновляемых энергоресурсов [1]. <...> К одному из недостатков панелей этого типа следует отнести изменение их параметров под воздействием солнечного излучения, что приводит к генерации в -Si:H дефектов (эффект Стеблера—Вронского [2]). <...> Рассмотрим изменения параметров солнечных элементов на основе -Si:H в темноте. <...> Постановка эксперимента и его результаты Поводом для исследования послужил тот факт, что в распоряжении авторов оказалась партия солнечных элементов, пролежавших в закрытом непрозрачном сейфе при комнатной температуре 15 лет. <...> Первоначальный коэффициент полезного действия (КПД) элементов составлял 10%, после длительной выдержки в темноте он упал до 3% [3]. <...> Следует отметить, что изменение параметров СЭ в темноте регистрировали и ранее [4, 5], при этом в качестве возможной причины деградации выдвигали * den-zezin@yandex.ru окисление полупроводникового материала при хранении готовых образцов. <...> Действительно, в работе [6] показано, что в кристаллических элементах со временем слои, легированные бором, окисляются и соответственно деградируют. <...> Поскольку бор применяется при создании pin-структур солнечных элементов на основе -Si:H, то этот эффект вполне может быть причиной <...>