Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635165)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система

Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра (128,00 руб.)

0   0
Первый авторСагателян Г. Р.
АвторыМакушина Н. В.
ИздательствоМ.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана
Страниц50
ID287188
АннотацияПриведены современные требования к геометрической точности изготовления пластин-подложек интегральных микросхем. Рассмотрены кремниевые подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки диаметром 100 мм. Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин.
Кем рекомендованоРедсоветом МГТУ им. Н.Э. Баумана в качестве учебного пособия
Кому рекомендованоДля студентов специальности «Проектирование и производство электронной аппаратуры» и «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», изучающих курс «Микроэлектроника».
ISBN978-5-7038-2926-7
УДК621.38
ББК32.843
Сагателян, Г.Р. Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра : учеб. пособие / Н.В. Макушина; Г.Р. Сагателян .— Москва : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006 .— 50 с. : ил. — ISBN 5-7038-2926-7 .— ISBN 978-5-7038-2926-7 .— URL: https://rucont.ru/efd/287188 (дата обращения: 08.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Сагателян, Н.В. Макушина СОВРЕМЕННЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К КРЕМНИЕВЫМ ПЛАСТИНАМ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА Рекомендовано редсоветом МГТУ им. <...> Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра: Учеб. пособие. <...> Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин. <...> Н.Э. Баумана, 2006 ВВЕДЕНИЕ Целесообразность перехода к применению пластин кремния кристаллов размером 20Ч20 мм2, чем на пластине диаметром 100 мм. <...> При этом коэффициент заполнения пластины кристаллами такого размера при переходе от пластин диаметром 150 мм к пластинам диаметром 200 и 300 мм возрастает с 0,53 до 0,72 и до 0,84 соответственно. <...> На пластинах диаметрами 150, 200 и 300 мм можно разместить, соответственно, в 2; 4,5 и 12 раз больше пластины к другому капитальные затраты на производство одной пластины возрастают примерно на 40 %, однако при этом выход годных кристаллов увеличивается в 2,0–2,5 раза. <...> В настоящее время в мире действует или находится на стадии подготовки около 50 линий по производству пластин кремния диаметром 200 мм с производительностью до 10 тыс. пластин в месяц, и целый ряд компаний заявили о намерениях производить (или уже приступили к производству на пилотных линиях) пластины кремния диаметром 300 мм. <...> Задача технологического процесса обработки – удаление нарушений, возникших на первых этапах обработки, и получение плоской, свободной от механических повреждений поверхности пластин кремния с требуемыми параметрами плоскостности, которые закладываются на операциях шлифования свободным или связанным абразивом. <...> Последующие операции по удалению остаточных повреждений, например химико-механическое полирование, не должны приводить к деградации плоскостности. <...> Размерный ряд технологического оборудования для обработки пластин кремния в России не обновлялся с середины 1980-х годов, тогда как номенклатура изделий существенно изменилась (произошел переход от промышленного выпуска пластин диаметром <...>
Современные_требования_к_кремниевым_пластинам.pdf
УДК 621.38 ББК 32.843 С12 Рецензенты: А.А. Ефремов, С.В. Петров С12 Сагателян Г.Р., Макушина Н.В. Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра: Учеб. пособие. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006. – 50 с.: ил. ISBN 5-7038-2926-7 Приведены современные требования к геометрической точности изготовления пластин-подложек интегральных микросхем. Рассмотрены кремниевые подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки диаметром 100 мм. Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин. Для студентов специальности «Проектирование и производство электронной аппаратуры» и «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», изучающих курс «Микроэлектроника». Ил. 17. Табл. 8. УДК 621.38 ББК 32.843 Учебное издание Гайк Рафаэлович Сагателян Наталья Владимировна Макушина Современные требования к кремниевым пластинам Редактор Е.К. Кошелева Компьютерная верстка О.В. Беляевой Корректор Л.И. Малютина Подписано в печать 29.09.2006. Формат 60×84/16. Бумага офсетная. Печ. л. 3,25. Усл. печ. л. 2,91. Уч.-изд. л. 2,85. Тираж 200 экз. Изд. № 38. Заказ Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана. 105005, Москва, 2-я Бауманская, 5. ISBN 5-7038-2926-7 © МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006
Стр.2
ОГЛАВЛЕНИЕ Введение ........................................................................................................ 3 1. Требования к полированным пластинам монокристаллического кремния ...................................................................................................... 4 2. Особенности описания и основные группы геометрических параметров пластин .................................................................................. 17 2.1. Геометрический рельеф поверхности пластины в прижатом состоянии............................................................................................ 18 2.2. Толщина и однородность распределения толщины по площади пластины........................................................................ 26 2.3. Геометрическая форма пластины в свободном состоянии и рельеф поверхности........................................................................ 27 2.4. Доля годной поверхности ................................................................. 30 3. Новое в технологии обработки кремниевых пластин............................ 30 4. Требования к пластинам из сапфира....................................................... 40 5. Экономическая целесообразность перехода к пластинам больших диаметров................................................................................... 47 50
Стр.50