Электроника, измерительная и радиотехника УДК 621.396.6.011.712 М. К. Самохвалов, М. О. Тахтенкова МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРАХ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ РЕЗИСТОРОМ ЦЕПИ В СХЕМАХ УПРАВЛЕНИЯ ИНДИКАТОРАМИ Аннотация. <...> Представлены результаты математического анализа переходных процессов в электрических цепях схем управления тонкопленочными электролюминесцентными индикаторами, включающих электролюминесцентный конденсатор и последовательный резистор цепи. <...> Получены аналитические соотношения для напряжения и тока в цепи при возбуждении знакопеременным симметричным импульсным напряжением. <...> Ключевые слова: математическое моделирование, тонкопленочный электролюминесцентный конденсатор, переходные электрические процессы. <...> The article introduces the results of mathematical analysis of transient processes in electric circuits of control schemes for thin film electroluminescent indicators including electroluminescent capacitor and circuit series resistor. <...> Key words: mathematic modeling, thin-film electroluminescent capacitor, transient electrical processes. <...> Введение Тонкопленочные электролюминесцентные конденсаторы являются излучающими элементами, входящими в схему управления индикаторными устройствами. <...> Они имеют существенную особенность электрических характеристик: пороговую зависимость электрических и светотехнических параметров от управляющего напряжения. <...> Переходные процессы в таких тонкопленочных полупроводниковых структурах изучены недостаточно. <...> В данной работе представлена математическая модель переходных электрических процессов тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора (ТЭЛК) в составе схемы управления при возбуждении знакопеременным импульсным напряжением. <...> Основа математической модели Математическое моделирование переходных электрических характеристик в ТЭЛК при воздействии импульсного напряжения является актуальным и перспективным. <...> Моделирование электрических характеристик многослойных тонкопленочных структур <...>