Теоретические оценки показывают, что параметры НЕМТ на основе SiC гетерополитипных структур будут лучше, чем у НЕМТ на основе GaNAlGaN. <...> SiC выделяется среди других политипных соединений как наличием большого числа стабильных политипов и большой разницей в их электрофизических свойствах, так и высокой термической, химической и радиационной стойкостью. <...> Поэтому после отработки технологии роста приборы на основе SiC гетерополитипных структур смогут составить существенную конкуренцию приборам на основе III-N. <...> Таким образом, можно предполагать, что создание приборов на основе гетеропереходов станет одним из самых актуальных направлений развития SiC-электроники ближайшего будущего. <...> Заключение Заключение к статье мы постарались выразить посредством художественных образов, снова обратившись к использованным в начале статьи «ботаническим» аналогиям. <...> После всего, говоря о вечнозеленом полупроводнике, хочется сделать упор на слове «вечно». <...> Действительно, это один из самых старых полупроводников, на котором были сделаны важнейшие для данной области физики открытия, один из тех, который имеет большие перспективы в будущем. <...> По поводу сегодняшнего состояния SiC-электроники можно сказать, что это достаточно могучее древо, которое уже приносит плоды и принесет их в будущем еще больше. <...> Из-за дружественной конкуренции с материалами III-N почти прекратились работы в области SiC-оптоэлектроники, и нет ясности в перспективах некоторых SiC-СВЧ приборов. <...> Однако разработка технологии гетерополитипных структур должна решить эту проблему и, возможно, возродить работы по SiC-оптоэлектронике. <...> Над всем этим завис «топор» алмаза но пока что параметры приборов на основе алмаза остаются на уровне SiC-приборов 60-х годов прошлого века. <...> Существует ряд нерешенных проблем в технологии алмаза, которых не было в технологии SiC. <...> Поэтому можно ожидать, что к середине нашего столетия вся силовая полупроводниковая электроника (а может <...>