ISBN 978-5-7782-1618-1
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика
процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки
на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. <...> ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР С БАРЬЫ’ОМ ШОТТКИ
НА ОСНОВЕ АРСЕЪШДА ГАШШЯ. <...> Параметры переноса носителей заряда (электронов)
Моделирование мощного СВЧ ПТШ на ОаАз. <...> .
4.4.4т Экспериментальная проверка результатов расчета BAX, зависимостей элементов СВЧ DC ПТП!
от режима смешения и З-параметров при прямом
монтаже кристалла ПТШ. <...> ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР
С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА Г АЛЛИЯ
АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ
Введение
Полевые транзисторы с барьером Шоттки на арсениде галлия
(GaAs ПТШ) широко применяются в радиоэлектронной аппаратуре, особенно в СВЧ-диапазоне. <...> Поэтому
широкое распространение получили полевые транзисторы на основе
барьера Шоттки. <...> Для оптимизации параметров GaAs ПТШ и расчета устройств на
его основе необходимо иметь физико-топологическую модель (ФТМ), СВЯЗЫВаЮЩУЮ статические И динамические характеристики транзистора с его конструкцией и электрофизическими параметрами активного
слоя материала, из которого он изготовлен. <...> Область барьера Шоттки, обедненная носителями под затвором (ОПЗ), определяет поперечное сечение канала стокисток. <...> Обедненная область канала потенциалом стока расширяется к стоку.
з ac
“ГЦ/157770»! т Japan/7 I т Стук
И
flail/171mg
Рис. <...> 4.1“ Поперечное сечение ПТШ на GaAs:
показана также область домена сильного поля ЦШМ, которая, как будет
показано ниже, может формироваться на стоковом крае затвора
КОГДЭ. напряжение затвора U; становится меньше ЧЕМ
Un:7Uo+(pk, (4-1)
ТОК через канал падает практически ДО НУЛЯ. <...> Когда напряжение на затворе становится больше чем Оп, увеличение
напряжения сток—исток приводит к насыщению тока стока. <...> Насыщение
тока вызвано насыщением скорости электронов в сильном электрическом поле канала. <...> В приборе с коротким каналом, где длина затвора колеблется <...>
Анализ_процессов_в_полупроводниковых_устройствах._Часть_4.pdf
#
!
Стр.1
%! "'!)$" &$ '
'"
'"
! # &(
DT7I(&' $ &&'! % '
DT7I(&' $ &&'! % '
!
%! "'!)$" &$ '
!
!
)
)
Стр.2
#
#
# !
# "
# "
# " !
# " "
# " #
# " $
# #
# #
# # !
# # "
# # #
# $
# %
"
Bh6
Bh6
&"
&$
T
Bh6
#&
#'
Bh6
#(
$#
$%
&
"%
"'
##
##
Bh6
#
#
Bh6
$
!
%
%
Стр.3