Анализ простых электронных цепей. От электротехники к электронике. Схемы с диодами и транзисторами (200,00 руб.)

Автор стремился показать, что умение решать задачу инспизи электрической цепи, а именно рассчитывать токи и напряжения при заданных характеристиках активных и пассивных элементов цепи с помощью небольшого числа законов (закон Ома, законы Кирхгофа) и методов математического описания электрических цепей является базой для решения задач электроники. <...> 1.5), одна область которого является полупроводником р-типа, а другая п-типа, обладает уникальными свойствами. р-область, (-B 6—) GB ED 6 e п-область, избыток дырок избыток электронов основных носителей @ 6-) (В ® Э e основных носителей e ® % 6-) 6 I 9 | граница пеосповпойиосителей электрон дырка нсосновной носитслсй Рис 1.5. <...> Двойной электрический слой на границе р—п-перехола На границе образуется двойной слой, создающий электрическое поле, вектор напряженности которого £0 имеет такое направление, которое стремится ограничить дальнейший переход основных носителей из р—области в п-область и наоборот. <...> Движение основных и неосновных зарядов идет постоянно, но так как ток диффузии и дрейфовый ток имеют разное направление, то полный ток через границу равен нулю. <...> При указанном направлении действующей в схеме ЭДС Ег направления векторов напряженности g иЁО противоположны, а следовательно, если £0 тормозит движение основных носителей, то Ё действует наоборот. <...> Прямое включение [ни-перехода Очевидно, меняя величину ЭДС, мы будем менять величину Haпряженности внешнего электрического поля, а следовательно, будет меняться воздействие этого поля на основнью и неосновные носители зарядов. <...> 1.8 полярности источника ЭДС он способствует движению через границу основных носителей, которых значи10 тельно больше, чем неосновных. <...> Исследования физиков показали, что зависимость тока диффузии при прямом включении имеет следующий вид: еН миф =1дифо(е“ —1)‚ (1.1) где [who 7 тепловой или обратный ток насыщения, величина которого зависит, в первую очередь, от материала и площади р—п-перехода <...>