Методом лазерной абляции получены нанослоистые
пленки, образованные слоями халькогенидного стекла
(GeSe2)30(Sb2Se3)30(AgI)40 и AgI. Толщина слоев имеет величину порядка 10 нм при общей толщине пленок
1 мкм. Проведены РФА и импедансная спектроскопия
пленок в интервале температур от комнатной до
200 0С. Оба метода исследования показали, что при
повышении температуры фазовый переход AgI β/γ→α
происходит при 150-170оС, в то время как при понижении
температуры переход α→β/γ наблюдается при 90-60оС.
Таким образом, удалось расширить температурный
интервал существования высокопроводящей
модификации суперионного твердого электролита a-AgI
в структуре, обеспечивающей сквозную проводимость
по α−AgI.