Платиновые металлы в растворах галогенводородных
кислот образуют комплексы с лигандами SnX3
-, GeX3
-
(Х= F-, CI-, Br-). На характер связей M-Sn и M-Ge влияет
природа ацидолигандов Х в SnX3
-, GeX3
-. По парамет-
рам электронных(ЭСП) и γ-резонансных(119Sn) спектров установлено, что с ростом электроотрицательности Х перенос заряда с 5s2 и 4s2 орбиталей атомов
Sn(II) и Ge(II) на металл увеличивается. Предположено,
что в этом направлении увеличиваются σ-донорные
свойства лигандов SnX3
-, GeX3
- и, соответственно,
прочность биметаллических связей. При одинаковых
условиях перенос заряда с атомов Ge(II) больше, чем
с атомов Sn(II). Следовательно, M-Ge связи являются более прочными, чем M-Sn. Различие в электронных
свойствах лигандов SnX3
-, GeX3 проявляется в реакциях замещения. С помощью ЭСП установлено, что ионы
GeX3
- полностью замещают лиганды SnX3
- в M-Sn ком-
плексах, а ионы SnX3
- не способны заместить лиганды GeX3
- в M-Ge соединениях. Ионы GeX3
- эффективно
замещают тиомочевину, пиридин, аммиак, этилендиамин, дипиридил, фенантролини и другие лиганды в комплексах Pt(II), Pd(II). Ионы SnX3
- такой способностью не
обладают. Эффективность ионов GeX3
- в роли входя-
щих лигандов с ростом электроотрицательности Х
повышается. Результаты, полученные при изучении
реакций замещения, подтверждают сделанные ранее
выводы о том, что связи M-Ge являются более прочными, чем M-Sn.